MemSilicon 完成 1T4R 1Gb RRAM
来自 量子位 · 期号 2026-10-14
摘要
MemSilicon 完成了国际首款高密度、大容量 1T4R 1Gb RRAM 芯片的流片。该芯片采用与 CMOS 标准工艺兼容的 1TnR 技术路线。
来自 量子位 · 期号 2026-10-14
MemSilicon 完成了国际首款高密度、大容量 1T4R 1Gb RRAM 芯片的流片。该芯片采用与 CMOS 标准工艺兼容的 1TnR 技术路线。
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